PFC-W0603LF-03-2051-B_82PFR10K导读

。9200 SSD的连续读/写传输速度高达每秒5.5和3.5 GB，随机读/写传输速度高达每秒900K和275K输入/输出操作 (IOPS)，可将数据转换为低延迟、高性能的信息。

。·更长的电池使用寿命和极高的轻载效率：较低的IQ消耗可为负载极轻(低于100?A)以及主要在待机/出厂模式(不切换)下工作的系统提供更长的电池寿命。TPS62840的低IQ可以在1-?A的负载下实现80%的效率，比业界同类器件高出30%。

82MR500K

开关金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、充电路径管理FET、输入电流和充电电流检测电路和双输入选择驱动器。组件数量的减少对于诸如智能扬声器之类的应用颇有价值；而且，随着市场采用率的提高，这些应用产品的尺寸和成本不断缩小。

LRC-LRF2512LF-01-R018-F CHP1501R00FLF PFC-W1206LF-03-1002-B CAW1033R0JLF CAW106R80JLF 。

供应的Micron 9200系列SSD将3D NAND和NVME技术的功能融合到企业级存储产品中。。这些器件采用创新型架构，此架构在PCIe连接上结合NVMe协议，提供比SATA SSD较多快10倍的快速企业级闪存性能，以及节省电源和机架空间的3D NAND高密度存储。

9200 SSD为应用程序和数据库加速、在线事务处理 (OLTP)、高频交易和高性能计算等高要求功能提供高容量、快速度和低延迟，是市场上首批容量超过10 TB的NVMe SSD之一。。

72PLR100K

BQ25790和BQ25792是TI首款静态电流低于1 ?A的多电芯的降压-升压电池充电器。结合极低的8mΩ电池FET电阻，工程师可进一步延长电池运行时间。通过运输模式和关机功能将静态电流降低多达十倍，所提供的电池待机时间比市场高至少五倍。

TPS54310PWPR TPA3116D2DADR LM3429MHX/NOPB DP83867CRRGZT TPS62172DSGR 。

CAW5R680JLF CGH5503003F CAF102201JLF CVW5R220JLF CAW103300JLF 。

LRC-LR2512LF-01-R300-F CAF53300JLF PFC-W1206LF-03-4990-B CVW101R00JLF CAW10R470JLF 。

Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer_)，较后再把辅助层去掉，在震荡结构下方形成air gap。   因为只是边缘部分跟底下substrate接触，这种结构在受到压力时相对脆弱，而且跟membrane type类似，散热问题同样需要关注。

Ladder type可以用在单端(single-ended/unbalanced)和差分(balanced)信号上，而lattice type更适合用在差分(balanced)信号上。

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