AD1021AARQZ_AD1893JST导读

TPS62840的低IQ可以在1-?A的负载下实现80%的效率，比业界同类器件高出30%。·更长的电池使用寿命和极高的轻载效率：较低的IQ消耗可为负载极轻(低于100?A)以及主要在待机/出厂模式(不切换)下工作的系统提供更长的电池寿命。。

充电器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市场约两倍。新型降压-升压型充电器可帮助工程师减小解决方案尺寸和物料清单（BOM），是TI个完全集成下述组件的器件：。

AD1881AJST-REEL

AD1380KD AD1380KD AD1380KD/JD AD1382KD AD1382KD AD1385JD 。

AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7/AD1580BRT AD1582ART 。

AD1580ART-REEL7 AD1580ART-RL7 AD1580ARTZ AD1580ARTZ AD1580ARTZ-REEL 。

相比4G，5G在初始阶段就明确规划了三大应用场景：增强移动广带，其峰值速率将是4G网络的10倍以上；海量机器通信，将实现从消费到生产的全环节、从人到物的全场景覆盖；超高可靠低时延通信，通信响应速度将降至毫秒级。。但5G不止于手机，在万物互联时代，必须提前搭建好一条条高速路，5G因此无可争议地成为新基建之首。

AD22303

AD1583BRTZ-RL7 AD1583CRT-REEL7 AD1583CRT-RL7 AD1583CRTZ AD1583CRTZ 。

AD1032AR AD1032AR AD1032AR AD1032AR AD1062KN 。

AD1201BRZ AD1210BRZ AD1251ARZ AD1332BD AD1334BD 。

AD1584ART-RELL7 AD1584ARTZ AD1584ARTZ AD1584ARTZ-R2 AD1584ARTZ-REEL7 。

因为只是边缘部分跟底下substrate接触，这种结构在受到压力时相对脆弱，而且跟membrane type类似，散热问题同样需要关注。Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer_)，较后再把辅助层去掉，在震荡结构下方形成air gap。

TI新推出的搭载?BAW技术的较新款SimpleLink?多重标准MCU可集成到低功率无线射频设备中，例如低功耗无晶体蓝牙和Zigbee?技术，从而减少由外部晶体引起的无线射频故障。

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