TPS2549RTER _AD22003BP导读

欲了解详细信息，请阅读文章“通用快速充值是电池充值应用的未来趋势。通过对充值IC的正向和反向的双向操作可支持移动（OTG）充值。”。

不过，鉴于2019年低迷的半导体市场，以及不甚理想的营收状况，TI在Richardson 投资建设300mm晶圆厂计划并不如当初预想的那样顺利，可能要推迟两年才能完成。2019年4月，德州仪器发布了这座300mm晶圆厂的兴建计划，预计投资31 亿美元。

SGA-4286Z

LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。

PCM1802DBR STN3NF06L MOS(场效应管) TPS73725DCQR ADM1278-1BCPZ 其他被动元件 LM317MDT-TR 电源IC 。

LM385M3X-1.2/NOPB CSD87330Q3D 电源IC TLV70233DBVR 电源IC SGA-4286Z 工控元件 UPG2030TK-E2 超小型管。

TPS54310PWPR TPA3116D2DADR LM3429MHX/NOPB DP83867CRRGZT TPS62172DSGR 。

AD22105AR

TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。

TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。

TPS65131TRGERQ1 TPS73701DCQR TPS2421-2DDAR TPS61022RWUR TPS61041DBVR 。

TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。

Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer_)，较后再把辅助层去掉，在震荡结构下方形成air gap。   因为只是边缘部分跟底下substrate接触，这种结构在受到压力时相对脆弱，而且跟membrane type类似，散热问题同样需要关注。

TI新推出的搭载?BAW技术的较新款SimpleLink?多重标准MCU可集成到低功率无线射频设备中，例如低功耗无晶体蓝牙和Zigbee?技术，从而减少由外部晶体引起的无线射频故障。

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