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SN74HCT04DR

发布时间: 2021/7/13 16:35:53 | 137 次阅读

SN74HCT04DR_BQ30Z55DBTR-R3 其它电子管导读

该公司目前拥有两个300mm晶圆厂,分别名为RFAB和DMO56。TI将很多逻辑和嵌入式IC生产外包给代工厂,但模拟芯片主要都是在其自家的工厂生产。

Pahl表示,每年在这两个150mm晶圆厂生产约15亿美元的产品,很大一部分将转移到300mm晶圆厂,从而提高生产率和经济效益。


SN74HCT04DR_BQ30Z55DBTR-R3 其它电子管


BLM18KG300JH1D

TPS62823DLCR TPS62823DLCT TPS62821DLCT TPS62821DLCR BQ40Z50RSMR-R2 。

BAW filter的基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度为2um),声波在压电薄膜里震荡形成驻波(standing wave)。

在这种情况下,BAW谐振器技术通过消除对安装在PCB上的外部元件的需求,为TI提供了巨大的优势,。今天,定时通常需要石英晶体。 “每个人都使用石英晶体作为时钟,”索利斯说。

TI负责连接微控制器的副总裁Ray Upton解释说,新技术对于“以稳定的方式移动大量数据”至关重要,从而改善了高性能通信。 。


SN74HCT04DR_BQ30Z55DBTR-R3 其它电子管


TXS0104ERGYR 其他被动元件

LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。

IDC连接和智能手机半导体研究总监Philip Solis说,“新的BAW谐振器技术非常重要,因为TI正在将其集成到其硅芯片产品中,从而缩短设计时间,解决方案尺寸和元件成本。”。

这种结构整体效果相当于和空气接触,大部分声波被反射回来,这种结构称为BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator),如下图。Reflector由好几层高低交替阻抗层组成,比如一层的声波阻抗大,第二层的声波阻抗小,第三层声波阻抗大,而且每层的厚度是声波的λ/4,这样大部分波会反射回来和原来的波叠加。有一种方法是在震荡结构下方形成Bragg reflector,把声波反射到压电层里面。

TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。

SN74HCT04DR_BQ30Z55DBTR-R3 其它电子管


相比BAW-SMR,membrane type 较少一部分跟底下substrate接触,不好散热。不过薄膜结构需要足够坚固以至于在后续工艺中不受影响。

Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer_),后再把辅助层去掉,在震荡结构下方形成air gap。   因为只是边缘部分跟底下substrate接触,这种结构在受到压力时相对脆弱,而且跟membrane type类似,散热问题同样需要关注。


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