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GRM1555C1H101JA01J
发布时间: 2021/8/24 15:07:04 | 130 次阅读
TRS3221EIDBR 接口IC_GRM1555C1H101JA01J导读
。BQ25790和BQ25792支持小型个人电子产品、便携式医疗设备和楼宇自动化应用中的USB Type-C?和USB Power Delivery(PD)端口高效充电,并能将静态待机电流降低10倍。德州仪器(TI)今天推出了业界更小的降压-升压电池充电器集成电路,其集成了功率路径管理,以实现更大功率密度、通用及快速充电,充电效率高达97%。
TPS62840加入了TI高度集成的低IQ DC/DC转换器产品系列,使设计人员能够以尽可能小的解决方案尺寸较大限度地提高功率输出。
LM317MDT-TR 电源IC
TPS61230ARNSR TPS613221ADBVR TPS613221ADBVT LM321LVIDBVR TPS562201DDCR 。
BAW filter的较基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度为2um),声波在压电薄膜里震荡形成驻波(standing wave)。
TPS74801DRCR TPS22918DBVR TLV62569ADRLR TLV62569ADRLT TPS61230ARNST 。
·灵活的VIN扩宽了应用范围:TPS62840的输入电压范围较广,为1.8VIN-6.5VIN,可接受多种化学电池和配置,例如串联的两节锂-二氧化锰(2s-LiMnO2)电池、单节锂亚硫酰氯(1xLiSOCL2)电池、四节和两节碱性电池和锂聚合物电池(Li-Po)。
DRV8880PWPR
声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。。为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。而震荡结构的另一面,压电素材方面的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。
DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。
LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。
这种结构整体效果相当于和空气接触,大部分声波被反射回来,这种结构称为BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator),如下图。Reflector由好几层高低交替阻抗层组成,比如一层的声波阻抗大,第二层的声波阻抗小,第三层声波阻抗大,而且每层的厚度是声波的λ/4,这样大部分波会反射回来和原来的波叠加。有一种方法是在震荡结构下方形成Bragg reflector,把声波反射到压电层里面。
BAW filter有多种类型,包括ladder type filter,lattice type filter,stacked crystal filter和coupled resonator filter。BAW filter可以把多个resonator按一定拓扑结构连接。这里只简单介绍ladder type和lattice type。
。固体中粒子以椭圆轨迹震动,椭圆的长轴垂直于固体表面,随着固体深度越深,粒子运动幅度越小。而对于SAW,也叫Rayleighsurface wave,既有纵波也有横波。
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