NTA4153NT1G 安森美 MOSFET

产品属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-75-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 915 mA
Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 1.82 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4.4 ns
正向跨导 - mini 7.6 ns
高度: 0.75 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.4 ns
系列: NTA4153N
整包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 3.7 ns
宽度: 0.8 mm
单位重量: 2.510 mg

联系电话：15773539469.