- IC型号
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:普通会员
- 地址:深圳市龙岗区坂田街道雅宝路1号星河WORLD-A座1306
- 传真:0755-83228664
- E-mail:liy@fj-ic.cn
产品分类
STL24N60M2 ST/意法半导体MOSFET
发布时间: 2022/3/7 15:54:57 | 124 次阅读
STL24N60M2
1:说明:MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2:
2:产品属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 186 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: STL24N60M2
工厂包装数量:3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 180 mg
3:联系电话:15773539469./ 0755-83229740. /QQ:2853611909
1:说明:MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2:
2:产品属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 186 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: STL24N60M2
工厂包装数量:3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 180 mg
3:联系电话:15773539469./ 0755-83229740. /QQ:2853611909