IPD60N10S4L-12  英飞凌 MOSFET

产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
工作温度: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 21 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
系列: XPD60N10
工厂包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg

座机：0755-83229740

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