供应原装现货NTUD3170NZT5G 安森美 MOSFET

产品属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-963-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 220 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: -
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 125 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 80 ns
正向跨导 - mini: 0.48 S
高度: 0.37 mm
长度: 1 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 25.5 nd
系列: NTUD3170NZ
工厂包装数量：8000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: Small Signal MOSFET
典型关闭延迟时间: 142 ns
典型接通延迟时间: 16.5 ns
宽度: 0.8 mm
单位重量: 1.190 mg

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