IPT015N10N5 英飞凌MOSFET

产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 169 nC
工作温度: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - mini: 140 S
高度: 2.4 mm
长度: 10.58 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
系列: OptiMOS 5
工厂包装数量：2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
宽度: 10.1 mm
零件号别名: IPT015N10N5 SP001227040
单位重量: 771.020 mg
联系人：王小姐
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