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供应FDN5632N-F085 安森美MOSFET
FDN5632N-F085
ON（安森美）
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品信息
FDN5632N-F085 MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
产品属性 属性值
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 98 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: UltraFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 1.3 ns
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.7 ns
系列: FDN5632N_F085
工厂包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 5.2 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN5632N_F085
单位重量: 30 mg
公司：奋钧智能（深圳）科技有限公司
联系人：王小姐
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